在科创板上市公司中，有不少是在细分领域掌握关键核心技术的“硬科技”企业或处在关键技术攻关领域的标杆企业。而在科创板即将上市的“储备军”企业的科创底色也不容小觑，它们是各自领域的领跑者。即将登陆科创板的拓荆科技就是其中代表之一。

  拓荆科技董秘赵曦日前在接受中国证券报记者采访时表示，公司将借登陆科创板重要契机，进一步提升科技研发能力，提高产品性能和技术水平，不断做强主业，将公司打造成半导体制造薄膜沉积设备领军企业。

  技术优势突出

  拓荆科技主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。公司是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。

  拓荆科技产品已广泛应用于中芯国际(43.780, 0.27, 0.62%)、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时，公司已展开10nm及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

  薄膜设备的发展支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。芯片是微型结构体，其内部结构是3D立体式形态，晶圆衬底上的微米或纳米级薄膜构成了制作电路的功能材料层，通过与光刻机、刻蚀机及其他设备的搭配使用，制造出芯片的电路结构。

  随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。

  “在90nm CMOS工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。”赵曦说。

  薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。

  “生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。”赵曦表示，下游客户对薄膜沉积设备技术要求高，新兴厂商就需要具备绝对的技术能力来获取客户信任。

  近年来，拓荆科技不断强化技术研发，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术。其中，薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升了客户产线产能，减少客户产线生产成本。

  助力产业链发展

  拓荆科技聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。据了解，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，投资规模占晶圆制造设备总投资的25%。

  经过十多年的技术积累，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。

  其中，公司PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，行业地位不断提升。

  作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批“硬科技”企业选择到科创板发行融资。

  此次拓荆科技登陆科创板募集资金将主要用于开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发，开发Thermal ALD和大腔室PE-ALD以及升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备，并借助募集资金开发中国台湾市场。

  值得一提的是，拓荆科技上市后将在加强产品技术研发的同时，逐步培育和完善国内相关产业链。公司通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件国产化开发及验证，提高设备零部件的产品品质。同时，公司将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。